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可控硅開關(guān)投切電容的優(yōu)缺點(diǎn)

來源:希拓電氣(上海)有限公司    日期:2019-02-28    瀏覽量:載入中...

近年來,隨著對(duì)供電質(zhì)量要求的不斷提高和節(jié)能降耗的需要,無功補(bǔ)償裝置的使用量快速增長。隨后各種不同無功補(bǔ)償裝置不斷研發(fā)推出應(yīng)用,如:靜止無功補(bǔ)償裝置SVC、靜止無功發(fā)生器SVG、晶閘管投切電容裝置TSC等。但由于技術(shù)成熟悸或投入大等各種因素影響,目前使用范圍較廣,投入成本低,容易普及的仍是低壓無功補(bǔ)償裝置。

電子式無觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置(TSC)

可控硅投切開關(guān)(共補(bǔ))

可控硅投切電容器,是利用了可控硅開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零觸發(fā)電路,檢測(cè)當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí),發(fā)出觸發(fā)信號(hào),可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會(huì)產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問題。

優(yōu)點(diǎn):無涌流,無觸點(diǎn),使用壽命長、維修少,投切速度快(5ms內(nèi))


而傳統(tǒng)的機(jī)械式接觸器投切電容裝置 ( MSC)接觸器投入過程中,電容器的初始電壓為零,觸點(diǎn)閉合瞬間,絕大多數(shù)情況下電壓不為零、有時(shí)可能處在高峰值(極少為零),因而產(chǎn)生非常大的電流,也就是常說的合閘涌流。實(shí)驗(yàn)表明合閘涌流嚴(yán)重時(shí)可達(dá)電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的壽命,而且對(duì)電網(wǎng)造成沖擊,影響其它設(shè)備的正常工作。缺點(diǎn):涌流大,壽命短,故障多,維修費(fèi)用高


用戶通過對(duì)各種電容投切裝置性能比較,根據(jù)工程上的要求,有目的進(jìn)行選型。以實(shí)現(xiàn)滿意的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性能。作者通過實(shí)踐,從以上分析,提出建議如下:
對(duì)于需要快速頻繁投切電容補(bǔ)償?shù)挠脩?,如電焊、電梯等設(shè)備,應(yīng)選用無觸點(diǎn)可控硅投切電容裝置,才能達(dá)到應(yīng)有的補(bǔ)償效果。

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